GlobalFoundries dice que su nueva litografía de 7nm FinFET es capaz de entregar más del doble de la densidad lógica y aumenta el rendimiento en un 30 por ciento respecto a los actuales procesadores basados a una litografía tanto de 16 como de 14nm FinFET. Para alcanzar dicha litografía, la compañía hará uso de nuevas herramientas y procesos junto a una inversión adicional de varios miles de millones de dólares en su Fab 8 para permitir el desarrollo y la producción en masa de su nuevo nodo.
“GlobalFoundries tomó una decisión audaz para saltar directamente de los 14nm a los 7nm, una decisión que ahora está apoyada por varias empresas líderes en semiconductores gracias a la mejora de rendimiento y potencia, a lo que se le suma los beneficios sólo marginales por el alto coste que presentaba el proceso de fabricación a 10nm,” dijo Jim McGregor, fundador y analista principal de TIRIAS Research.Se espera que la tecnología estará lista para el diseño del producto personalizado de sus clientes (donde Advanced Micro Devices (AMD) y Qualcomm son los más importantes) en la segunda mitad de 2017, esperando que la producción en masa de los diseños personalizados tenga lugar a principios de 2018.
“Al igual que los procesos de fabricación de 28nm, 16nm y 14nm, los 7nm parecen ser el siguiente proceso de fabricación importante que será ampliamente aprovechado por toda la industria de los semiconductores durante al menos la próxima década.”
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